11月4日，华中科技大学教授王兴晟做客信息科学与工程学院，做了题为“TCAD Modelling and CMOS Statistical Variability”的主题报告。信息学院陈杰智教授主持了报告会，学院部分师生听取了报告。

    讲座伊始，王兴晟简要介绍了自己的科研教育经历及主要研究概况。随后，他从集成电路的定义、集成电路产业的分工、MOSFET的制作过程及成型四个方面，并联系生活实际介绍了当代MOSFET微缩特征以及纳米CMOS器件的革新过程，继而引出本次讲座的重点：CMOS随机涨落。

    王兴晟用“天边的阴云”来比喻随机涨落，他结合集成电路发展的原始驱动力，生动形象地描述了随机涨落对纳米器件的影响，说明了随着纳米器件不断微缩，随机涨落的影响也在不断增大。他指出，建模仿真是集成电路领域的一个具有根本重要性的研究开发手段。随后，他通过列举对随机涨落根源的建模仿真实例，着重介绍了提取、统计紧凑建模方法、生成方法和当下统计紧凑建模领域取得的研究成果。

    王兴晟，华中科技大学光电信息学院教授。2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位。随后就职于英国格拉斯哥大学；2016年5月入职于新思科技，任高级工程师；2018年2月回国，任华中科技大学教授。研究方向主要包括：微纳电子器件与系统，随机涨落可变性与可靠性，器件电路协同优化设计，类脑计算等。在电子器件著名期刊和会议IEEE T-ED、 EDL、 IEDM等发表论文70余篇，包括两个T-ED封面。IEEE高级会员，担任多个期刊审稿人和会议TPC委员。