华中科技大学王兴晟教授做客信息学院开展讲座

    11月4日,华中科技大学教授王兴晟做客信息科学与工程学院,做了题为“TCAD Modelling and CMOS Statistical Variability”的主题报告。信息学院陈杰智教授主持了报告会,学院部分师生听取了报告。

    讲座伊始,王兴晟简要介绍了自己的科研教育经历及主要研究概况。随后,他从集成电路的定义、集成电路产业的分工、MOSFET的制作过程及成型四个方面,并联系生活实际介绍了当代MOSFET微缩特征以及纳米CMOS器件的革新过程,继而引出本次讲座的重点:CMOS随机涨落。

    王兴晟用“天边的阴云”来比喻随机涨落,他结合集成电路发展的原始驱动力,生动形象地描述了随机涨落对纳米器件的影响,说明了随着纳米器件不断微缩,随机涨落的影响也在不断增大。他指出,建模仿真是集成电路领域的一个具有根本重要性的研究开发手段。随后,他通过列举对随机涨落根源的建模仿真实例,着重介绍了提取、统计紧凑建模方法、生成方法和当下统计紧凑建模领域取得的研究成果。

    王兴晟,华中科技大学光电信息学院教授,湖北省百人计划入选者。2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位。随后就职于英国格拉斯哥大学;2016年5月入职于新思科技,任高级工程师;2018年2月回国,任华中科技大学教授。研究方向主要包括:微纳电子器件与系统,随机涨落可变性与可靠性,器件电路协同优化设计,类脑计算等。在电子器件著名期刊和会议IEEE T-ED、 EDL、 IEDM等发表论文70余篇,包括两个T-ED封面。IEEE高级会员,担任多个期刊审稿人和会议TPC委员。

 

发布人:lyy2018       最后修改日期: 2018-11-5
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